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PMXB65ENEZ Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 3.2A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PMXB65ENE | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 604 |
PMXB65ENEZ | Nexperia USA Inc. | Transistors MOSFET simples | |
PMXB65UPE | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 20718 |
PMXB65UPEZ | Nexperia | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 10279 |
PMXB65UPEZ | Nexperia USA Inc. | Transistors MOSFET simples |
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