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PQMD10Z
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PQMD10Z Spécifications techniques
TRANS NPN/PNP RET 6DFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 230mW |
Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
Frequency - Transition | 230MHz, 180MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PQMD10Z | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT | |
PQMD12Z | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2715 |
PQMD12Z | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT | |
PQMD13Z | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2552 |
PQMD13Z | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT | |
PQMD16Z | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2721 |
PQMD16Z | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT |
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