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S27KS0641DPBHI020 Spécifications techniques

IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology DRAM
Series HyperRAM™
Package / Case 24-TBGA
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 64Mb (8M x 8)
Memory Format DRAM
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 166MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Supplier Device Package 24-BGA (6x8)
Packaging Tray
Other Names 428-3858
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Manufacturer Standard Lead Time 15 Weeks
Detailed Description DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns 24-BGA (6x8)
Access Time 40ns
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S27KS0641DPBHI020 fabricants de marques: Cypress Semiconductor, Bonchip action, S27KS0641DPBHI020 prix de référence. S27KS0641DPBHI020 paramètres, S27KS0641DPBHI020 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le S27KS0641DPBHI020 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver S27KS0641DPBHI020 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, S27KS0641DPBHI020 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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