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SI3459BDV-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 216 mOhm @ 2.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI3459BDV-T1-GE3TR SI3459BDVT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 30V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 60V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
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SI3459BDV-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI3459BDV-T1-GE3 prix de référence. SI3459BDV-T1-GE3 paramètres, SI3459BDV-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI3459BDV-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI3459BDV-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI3459BDV-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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