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SI3552DV-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 1.15W
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Base Part Number SI3552
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI3552DV-T1-GE3TR SI3552DVT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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SI3552DV-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI3552DV-T1-GE3 prix de référence. SI3552DV-T1-GE3 paramètres, SI3552DV-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI3552DV-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI3552DV-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI3552DV-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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