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SI3911DV-T1-E3 Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 830mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI3911DV-T1-E3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Base Part Number SI3911
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SI3911DV-T1-E3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI3911DV-T1-E3 prix de référence. SI3911DV-T1-E3 paramètres, SI3911DV-T1-E3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI3911DV-T1-E3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI3911DV-T1-E3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI3911DV-T1-E3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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