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SI5504BDC-T1-E3 Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.12W, 3.1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Base Part Number SI5504
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI5504BDC-T1-E3-ND SI5504BDC-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A, 3.7A
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