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SI8851EDB-T2-E1 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 660mW (Ta)
Package / Case 30-XFBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package Power Micro Foot®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 7A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.7A (Ta)
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SI8851EDB-T2-E1 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI8851EDB-T2-E1 prix de référence. SI8851EDB-T2-E1 paramètres, SI8851EDB-T2-E1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI8851EDB-T2-E1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI8851EDB-T2-E1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI8851EDB-T2-E1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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