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SI8902AEDB-T2-E1
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SI8902AEDB-T2-E1 Spécifications techniques
N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 5.7W |
Package / Case | 6-UFBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 24V 11A 5.7W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 1A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A |
SI8902AEDB-T2-E1 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SI8900B-A01-GS | Energy Micro (Silicon Labs) | Acquisition de données - Convertisseurs analogiques-numériques (CAN) | 2556 |
SI8900B-A01-GS | Silicon Labs | ADC | |
SI8900B-A01-GSR | Energy Micro (Silicon Labs) | Acquisition de données - Convertisseurs analogiques-numériques (CAN) | 1552 |
SI8900B-A01-GSR | Silicon Labs | ADC | |
SI8900D-A01-GS | Energy Micro (Silicon Labs) | Acquisition de données - Convertisseurs analogiques-numériques (CAN) | 2647 |
SI8900D-A01-GS | Silicon Labs | ADC | |
SI8900D-A01-GSR | Energy Micro (Silicon Labs) | Acquisition de données - Convertisseurs analogiques-numériques (CAN) | 2685 |
SI8900EDB-T2-E1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 687 |
SI8900EDB-T2-E1 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 688 |
SI8900EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays |
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