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SIB911DK-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W
Package / Case PowerPAK® SC-75-6L Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 8V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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SIB911DK-T1-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SIB911DK-T1-GE3 prix de référence. SIB911DK-T1-GE3 paramètres, SIB911DK-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIB911DK-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIB911DK-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIB911DK-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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