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SIHD5N50D-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names SIHD5N50D-GE3CT SIHD5N50D-GE3CT-ND
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-252AA
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Tc)
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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SIHD5N50D-GE3 Vishay Siliconix Transistors MOSFET simples

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