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SIS698DN-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195 mOhm @ 2.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 6.9A (Tc) 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Power Dissipation (Max) 19.8W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Tc)
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SIS698DN-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SIS698DN-T1-GE3 prix de référence. SIS698DN-T1-GE3 paramètres, SIS698DN-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIS698DN-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIS698DN-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIS698DN-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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