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SIUD412ED-T1-GE3
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SIUD412ED-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
Package / Case | PowerPAK® 0806 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21pF @ 6V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Detailed Description | N-Channel 12V 500mA (Tc) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±5V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 0806 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Packaging | Original-Reel® |
Other Names | SIUD412ED-T1-GE3DKR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.71nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
SIUD412ED-T1-GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SIUD402ED-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 0 |
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SIUD412ED-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2716 |
SIUD412ED-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples |
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