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SQJ958EP-T1_GE3
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SQJ958EP-T1_GE3 Spécifications techniques
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power - Max | 35W |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 35W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 30V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SQJ951EP-T1-GE3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 2115 |
SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2510 |
SQJ951EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2662 |
SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SQJ952EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2884 |
SQJ952EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SQJ956EP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 1020 |
SQJ956EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2648 |
SQJ956EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SQJ958EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays |
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