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VS-2EFH01HM3/I Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Reverse Recovery Time (trr) | 16ns |
Package / Case | DO-219AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Packaging | - |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 2A |
VS-2EFH01HM3/I Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
VS-2EFH01-M3/I | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 2552 |
VS-2EFH01-M3/I | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2558 |
VS-2EFH01HM3 | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 15321 |
VS-2EFH01HM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | VS-2EFH01HM3/I | |
VS-2EFH02-M3/I | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 2582 |
VS-2EFH02-M3/I | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2570 |
VS-2EFH02-M3/I IC | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 10183 |
VS-2EFH02HM3 | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 15000 |
VS-2EFH02HM3/I | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2885 |
VS-2EFH02HM3/I | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 8926 |
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