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2N5655G Spécifications techniques
2N5655G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Bulk |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 20W |
Current Rating | 500mA |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Gain Bandwidth Product | 10MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100μA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 250V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
Height | 6.35mm |
Width | 6.35mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Weight | 4.535924g |
Operating Temperature | -65°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 250V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 10MHz |
Base Part Number | 2N5655 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 20W |
Halogen Free | Halogen Free |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 100mA 10mV |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 10V @ 100mA, 500mA |
Transition Frequency | 10MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 275V |
hFE Min | 30 |
Length | 6.35mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
2N5655G Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2N5655 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2567 |
2N5655 | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2N5655 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
2N5655G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2554 |
2N5655G | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
2N5657 | STMicroelectronics | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2664 |
2N5657 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
2N5657G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2703 |
2N5657G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples |
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