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2N5657 Spécifications techniques
TRANS NPN 350V 0.5A SOT-32
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 20W |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 100mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 10V @ 100mA, 500mA |
Supplier Device Package | SOT-32-3 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 10MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
2N5657 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2N5655 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2567 |
2N5655 | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2N5655 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
2N5655G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2554 |
2N5655G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2N5655G | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
2N5657 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
2N5657G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2703 |
2N5657G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples |
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