FDA20N50-F109 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series UniFET™
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 280W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3120pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 105 ns
Continuous Drain Current (ID) 22A
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature FAST SWITCHING
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 280W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 95 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A Tc
Rise Time 375ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 88A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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