FDA20N50F Spécifications techniques

FDA20N50F datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 2
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series UniFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Power Dissipation-Max 388W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 45 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A Tc
Rise Time 120ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 88A
Length 15.8mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 260MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 388W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3390pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 22A
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Height 20.1mm
Width 5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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