FDMS1D2N03DSD Spécifications techniques

PT11N 30/12 & PT11N 30/12

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Package / Case 8-PowerWDFN
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Power - Max 2.1W Ta 26W Tc 2.3W Ta 42W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25m Ω @ 19A, 10V, 0.97m Ω @ 37A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1410pF @ 15V 4860pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V, 117nC @ 10V
FET Feature Standard
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Reach Compliance Code not_compliant
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 320μA, 3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A Ta 70A Tc 37A Ta 164A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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