FDMS1D4N03S Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®, SyncFET™
Part Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 74W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 211A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±16V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Weight 106mg
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Reach Compliance Code not_compliant
Element Configuration Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.09m Ω @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10250pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
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