FDP7N50 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 500V 7A TO-220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 89W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A Tc
Rise Time 55ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 25 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Avalanche Energy Rating (Eas) 270 mJ
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series UniFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 89W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900m Ω @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 35 ns
Continuous Drain Current (ID) 7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.9Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 28A
Height 16.51mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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