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FDP7N60NZ Spécifications techniques
FDP7N60NZ datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 1.8g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 1.25MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 147W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 17.5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A Tc |
Rise Time | 30ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 40 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 26A |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | UniFET-II™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 147W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 Ω @ 3.25A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 25 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6.5A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 275 mJ |
Height | 20.4mm |
Width | 4.83mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDP7N60NZ Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDP7N08 | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 40 |
FDP7N50 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 44766 |
FDP7N50 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 44766 |
FDP7N50 | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDP7N50F | F | Circuits intégrés spécialisés | 55803 |
FDP7N50F 2SK3305 | NEC | Circuits intégrés spécialisés | 45251 |
FDP7N50U | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 56625 |
FDP7N50U 2SK3305 | NEC | Circuits intégrés spécialisés | 45251 |
FDP7N60NZ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 30045 |
FDP7N60NZ | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 30045 |
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