FDPC8014S Spécifications techniques

FDPC8014S datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2.3W
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 2
Case Connection DRAIN
Power - Max 2.1W 2.3W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A 41A
Rise Time 6ns
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 41A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 110A
Avalanche Energy Rating (Eas) 73 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Length 5.1mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerWDFN
Weight 207.7333mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 16 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2375pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Turn-Off Delay Time 47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 75A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 750μm
Width 6.1mm
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