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FDS8958A-F085 Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 900mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A 5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20A
Avalanche Energy Rating (Eas) 54 mJ
Power Dissipation-Max (Abs) 2W
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max 0.028Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
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