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FDS8958B_G Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
FET Type N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.4A 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26m Ω @ 6.4A, 10V, 51m Ω @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 15V 760pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
FET Feature Standard
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FDS8958B_G fabricants de marques: ON Semiconductor, Bonchip action, FDS8958B_G prix de référence. FDS8958B_G paramètres, FDS8958B_G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FDS8958B_G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FDS8958B_G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FDS8958B_G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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