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FDS8984-F085 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 230.4mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.6W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 635pF @ 15V
Rise Time 9ns
Fall Time (Typ) 21 ns
Continuous Drain Current (ID) 7A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Max Power Dissipation 1.6W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
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