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FGA20S125P Spécifications techniques

FGA20S125P datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Published 2016
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 175°C
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Element Configuration Single
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1250V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Gate Charge 129nC
Gate-Emitter Voltage-Max 25V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 250W
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.25kV
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.25kV
Collector Emitter Saturation Voltage 2.44V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
RoHS Status RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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