FGH60N60SMD Spécifications techniques

FGH60N60SMD datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Base Part Number FGH60N60
Rise Time-Max 70ns
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 27 ns
Transistor Application POWER CONTROL
Turn-Off Delay Time 146 ns
Max Collector Current 120A
JEDEC-95 Code TO-247AB
Collector Emitter Saturation Voltage 1.9V
Test Condition 400V, 60A, 3 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 163 ns
Gate Charge 189nC
Td (on/off) @ 25°C 18ns/104ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 68ns
Length 15.6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 600W
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Input Type Standard
Power - Max 600W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 39 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A
IGBT Type Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
Switching Energy 1.26mJ (on), 450μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Height 20.6mm
Width 4.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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