FJP2145TU Spécifications techniques

FJP2145TU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~125°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 120W
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 800V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 200mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 300mA, 1.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Collector Emitter Saturation Voltage 151mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
Height 16.51mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series ESBC™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Number of Elements 1
Power Dissipation 120W
Gain Bandwidth Product 15MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 800V
Transition Frequency 28.4MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 1.1kV
hFE Min 20
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
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