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FJP2160DTU Spécifications techniques

FJP2160DTU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~125°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Terminal Position SINGLE
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN FET AND DIODE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 800V
Transition Frequency 25MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 1.6kV
hFE Min 20
Length 9.9mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series ESBC™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 100W
Number of Elements 1
Power - Max 100W
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 800V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 400mA 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 330mA, 1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Frequency - Transition 5MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 12V
Height 15.95mm
Width 4.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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