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FQB4N80TM Spécifications techniques
FQB4N80TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 3.9A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3.13W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A Tc |
Rise Time | 45ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 35 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 800V |
Height | 4.83mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 3.6Ohm |
Voltage - Rated DC | 800V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 3.13W Ta 130W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ω @ 1.95A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 35 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3.9A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 460 mJ |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQB4N80TM Documents
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Feuilles de données
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