FQS4903TF Spécifications techniques

Trans Mosfet N-ch 500V 0.37A 8-PIN SOIC N T/r

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 2W
Current Rating 370mA
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
Fall Time (Typ) 45 ns
Continuous Drain Current (ID) 370mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.37A
Dual Supply Voltage 500V
FET Feature Standard
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 230.4mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 500V
Terminal Form GULL WING
Base Part Number FQS4903
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2 Ω @ 185mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V
Rise Time 20ns
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 4 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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