FQU2N90TU-WS Spécifications techniques

MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Weight 343.08mg
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 50W Tc
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A Tc
Rise Time 35ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 15 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 Ω @ 850mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.7A
Drain to Source Breakdown Voltage 900V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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