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HGT1S20N36G3VL
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HGT1S20N36G3VL Spécifications techniques
HGT1S20N36G3VL datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Part Status | Obsolete |
Voltage - Rated DC | 360V |
Current Rating | 20A |
Power Dissipation | 150W |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.9V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 395V |
Test Condition | 300V, 10A, 25 Ω, 5V |
Gate Charge | 28.7nC |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Power Dissipation | 150W |
Element Configuration | Single |
Input Type | Logic |
Max Collector Current | 37.7A |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.3V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 5V, 20A |
Td (on/off) @ 25°C | -/15μs |
Lead Free | Lead Free |
HGT1S20N36G3VL Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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HGT1S10N120BNS | ON Semiconductor | IGBTs simples | |
HGT1S10N120BNST | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - IGBT - Simple | 3181 |
HGT1S10N120BNST | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - IGBT - Simple | 5213 |
HGT1S10N120BNST | ON Semiconductor | IGBTs simples | |
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 647 |
HGT1S12N60A4DS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - IGBT - Simple | 2995 |
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HGT1S12N60A4DS | ON Semiconductor | IGBTs simples |
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