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HN1B01FDW1T1 Spécifications techniques
TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2009 |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 380mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
Current Rating | 200mA |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA 6V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
Collector Emitter Saturation Voltage | -150mV |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 7V |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e0 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Voltage - Rated DC | -60V |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Polarity | NPN, PNP |
Power Dissipation | 380mW |
Transistor Type | NPN, PNP |
Max Collector Current | 200mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 2μA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 60V |
hFE Min | 200 |
Lead Free | Contains Lead |
HN1B01FDW1T1 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
HN1B01F-GR | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 4022 |
HN1B01F-GR TE85L | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 6439 |
HN1B01F-GR(T5L | TOS | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
HN1B01F-GR(T5L ,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
HN1B01F-GR(T5L,T) | TOS | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
HN1B01F-GR(TE85L) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 3520 |
HN1B01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2698 |
HN1B01F-Y | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2246 |
HN1B01F-Y TE85L | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 18500 |
HN1B01FDW1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 6705 |
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