MBR30H100CT Spécifications techniques

MBR30H100CT datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Réseau de diodes redresseuses
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Published 2007
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 175°C
Voltage - Rated DC 100V
Base Part Number MBR30H100CT
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 4.5μA @ 100V
Max Reverse Leakage Current 4.5μA
Max Surge Current 250A
Current - Average Rectified (Io) 15A
Average Rectified Current 15A
Max Forward Surge Current (Ifsm) 250A
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series SWITCHMODE™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -65°C
Current Rating 30A
Element Configuration Common Cathode
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 800mV @ 15A
Operating Temperature - Junction 175°C Max
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Max Reverse Voltage (DC) 100V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
MBR300/100CT IGBT Module Modules IGBT 2853
MBR300100 IGBT Module Modules IGBT 2990
MBR300100CT GeneSiC Semiconductor Diodes - Redresseurs - Réseaux 2792
MBR300100CTR GeneSiC Semiconductor Diodes - Redresseurs - Réseaux 2715
MBR300150CT GeneSiC Semiconductor Diodes - Redresseurs - Réseaux 2645
MBR300150CTR GeneSiC Semiconductor Diodes - Redresseurs - Réseaux 2523
MBR30020 MOTOROLA Modules IGBT 2890
MBR300200CT GeneSiC Semiconductor Diodes - Redresseurs - Réseaux 2508
MBR300200CTR GeneSiC Semiconductor Diodes - Redresseurs - Réseaux 2609
MBR30020CT GeneSiC Semiconductor Diodes - Redresseurs - Réseaux 2775

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