MJE270G Spécifications techniques

MJE270G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.5W
Current Rating 2A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Halogen Free Halogen Free
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 6.35mm
Width 6.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 100V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 6MHz
Pin Count 3
Polarity NPN
Power Dissipation 1.5W
Gain Bandwidth Product 6MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1500 @ 120mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 1.2mA, 120mA
Transition Frequency 6MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
hFE Min 500
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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