MJE271 Spécifications techniques

MJE271 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Voltage - Rated DC -100V
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -2A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Darlington
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Transition Frequency 6MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
hFE Min 500
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.5W
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Polarity PNP
Gain Bandwidth Product 6MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1500 @ 120mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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