MPS650G Spécifications techniques

MPS650G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e1
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Voltage - Rated DC 40V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 2A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 1A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Transition Frequency 75MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 75
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 625mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 75MHz
Base Part Number MPS650
Number of Elements 1
Power Dissipation 625mW
Gain Bandwidth Product 75MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 500mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 6.35mm
Width 6.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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