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MPS650RLRA Spécifications techniques

MPS650RLRA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 625mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 2A
Base Part Number MPS650
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Number of Elements 1
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 500mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 1A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Transition Frequency 75MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 75
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 40V
Terminal Position BOTTOM
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 75MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 500mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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