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MUN2233T1G Spécifications techniques
ON SEMICONDUCTOR - MUN2233T1G - Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 (Ratio)
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 230mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 100mA |
Base Part Number | MUN2233 |
Max Output Current | 100mA |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
Length | 2.9mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Number of Pins | 3 |
Published | 2009 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Operating Supply Voltage | 50V |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 338mW |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Collector Emitter Saturation Voltage | 250mV |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Height | 1.09mm |
Width | 1.5mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
MUN2233T1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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MUN2211JT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2791 |
MUN2211JT1 | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
MUN2211JT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 3900 |
MUN2211JT1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
MUN2211JT1G | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT pré-polarisés | |
MUN2211RLT1 | LRC | Circuits intégrés spécialisés | 9500 |
MUN2211T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 6360 |
MUN2211T1 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT pré-polarisés | |
MUN2211T1B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 4524 |
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