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NGTB20N120IHLWG
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NGTB20N120IHLWG Spécifications techniques
ON SEMICONDUCTOR NGTB20N120IHLWG IGBT Single Transistor, 40 A, 1.8 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 192W |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 250W |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.2kV |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.8V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
Gate Charge | 200nC |
Td (on/off) @ 25°C | -/235ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Height | 21.08mm |
Width | 5.3mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | TO-247-3 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 192W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 40A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 20A, 10 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 485 ns |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Switching Energy | 700μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6.5V |
Length | 16.26mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
NGTB20N120IHLWG Documents
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Feuilles de données
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