NGTB20N120IHSWG Spécifications techniques

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-247-3
Number of Pins 3
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Power Dissipation 156W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 2.5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
Gate Charge 155nC
Td (on/off) @ 25°C -/160ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 21.08mm
Width 5.3mm
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 156W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 20A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 650μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Length 16.26mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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