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NSBA123EF3T5G Spécifications techniques
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-1123 T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-1123 |
Supplier Device Package | SOT-1123 |
Published | 2013 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Element Configuration | Single |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Max Operating Temperature | 150°C |
Max Power Dissipation | 254mW |
Power - Max | 254mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NSBA123EF3T5G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSBA113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2561 |
NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2743 |
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2635 |
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSBA114EDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 6222 |
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA114EDXV6T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 5048 |
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