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NSBA124EF3T5G Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -65°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Base Part Number | NSBA1* |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
hFE Min | 60 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Package / Case | SOT-1123 |
Number of Pins | 3 |
Published | 2010 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Max Power Dissipation | 254mW |
Terminal Form | FLAT |
Pin Count | 3 |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 254mW |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NSBA124EF3T5G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2743 |
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2635 |
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSBA114EDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 6222 |
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
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