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NSBA143TDXV6T5G
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NSBA143TDXV6T5G Spécifications techniques
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 500mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Number of Pins | 6 |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | -100mA |
Base Part Number | NSBA1* |
Qualification Status | Not Qualified |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 357mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
hFE Min | 160 |
Continuous Collector Current | -100mA |
Lead Free | Lead Free |
NSBA143TDXV6T5G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSBA113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2561 |
NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2743 |
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2635 |
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSBA114EDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 6222 |
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSBA114EDXV6T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 5048 |
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