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NSVDTC143ZET1G Spécifications techniques
NSVDTC143ZET1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Max Power Dissipation | 200mW |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2001 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Element Configuration | Single |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 4.7 k Ω |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NSVDTC143ZET1G Documents
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Feuilles de données
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---|---|---|---|
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NSVDTA114EET1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSVDTA114EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2747 |
NSVDTA114EM3T5G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
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