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NSVMUN2112T1G Spécifications techniques
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP PBFR
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Number of Elements | 1 |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 22 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 230mW |
Power - Max | 230mW |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 k Ω |
Lead Free | Lead Free |
NSVMUN2112T1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSVMUN2112T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2673 |
NSVMUN2212T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 3242 |
NSVMUN2212T1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSVMUN2233T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2772 |
NSVMUN2233T1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSVMUN2236T1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSVMUN2237T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 18227 |
NSVMUN2237T1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
NSVMUN5111DW1T3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 443211 |
NSVMUN5111DW1T3G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT |
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