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NSVMUN2233T1G Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Base Part Number MUN2233
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Max Power Dissipation 230mW
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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NSVMUN2233T1G fabricants de marques: ON Semiconductor, Bonchip action, NSVMUN2233T1G prix de référence. NSVMUN2233T1G paramètres, NSVMUN2233T1G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NSVMUN2233T1G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NSVMUN2233T1G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NSVMUN2233T1G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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